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微影製程缺陷
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台積電5奈米試產順利,傳良率追上7奈米
所謂缺陷密度,指的是製程中非預期因素,例如刮痕、光阻覆蓋不全等,對晶片品質產生 ... 尤其,在EUV(極紫外光)微影技術問世後,技術層級又更為複雜, ...
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