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EUV缺陷為晶片前景蒙上陰影 - Medium

極紫外光微影(EUV)技術據稱將在5奈米(nm)節點時出現隨機缺陷。 ... 最近的缺陷突然出現在15nm左右的關鍵尺寸上，而這是針對2020年代工製程製造5nm晶片所需的技術節點。

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