圖6 為四個具有不同LDD 條件PMOS 元件之. 掃描擴展式電阻顯微術影像,這些影像在擷取之後. 以IMEC 長期發展的量化軟體描繪出氧化物與閘極. 的邊界,將邊界外的摻雜矽阻值作 ...
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