以IC製作為主要訴求,研究發展內容包括負微分電阻、壓控震盪器(VCO) 、鎖相迴路(PLL)、除頻器(FD)與多值記憶 ... 開發新型MOS-BJT-NDR元件與應用積體電路之設計(3/3)。
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