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半導體行業（七十八）——加熱工藝（十九 - 壹讀

當溫度較低時，摻雜物原子的擴散速度比矽原子的退火快；然而在高溫時（超過1000℃），退火過程比較快些，這是因為退火的活化能（約5ev）高於擴散的活化 ...

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