... 半導體奈米團簇。 2 氣相注入法氣相注入法( vapor implant )適用於氣化或昇華溫度 ... 退火 8 小時即可。又如在沸石中形成 GaAs 或 GaP 團簇,可在低溫下乾燥的 HY 型 ...
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