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在 半導體退火製程產品中有12篇Facebook貼文，粉絲數超過11萬的網紅解密科技寶藏，也在其Facebook貼文中提到， 【相控陣列變頻微波技術開發】❄低溫退火技術助攻產業升級再進化！ - 隨著半導體製程的演進，元件線寬及膜厚均達10奈米左右之尺吋，容易因傳統超過攝氏900度以上🔥高溫退火帶來的副作用，導致元件失效。 經濟部技術處偕同工研院，研發微波退火環節中的技術創新，透過微波相位與變頻整合控制，可直接均勻加熱半導體...
半導體退火製程 在 解密科技寶藏 Facebook 的最佳貼文
【相控陣列變頻微波技術開發】❄低溫退火技術助攻產業升級再進化！
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隨著半導體製程的演進，元件線寬及膜厚均達10奈米左右之尺吋，容易因傳統超過攝氏900度以上🔥高溫退火帶來的副作用，導致元件失效。 經濟部技術處偕同工研院，研發微波退火環節中的技術創新，透過微波相位與變頻整合控制，可直接均勻加熱半導體薄膜材料，不僅將溫度降至攝氏500度以下，成本還可節省近一半，極具產業競爭力💪。
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半導體退火製程 在 交通大學校友會 NCTU Alumni Association Facebook 的最佳貼文
交大光電所劉柏村特聘教授分享其研發多年之「超臨界流體技術：氣液態共存態」，此技術可應用於前瞻單晶堆疊三維積體電路（Monolithic 3D IC）製程、平面顯示薄膜電晶體陣列（TFT array）製程，以及軟性電子與薄膜元件製程技術，其特色為低溫（小於200℃）製程，可應用於各式軟性或硬式基板製程。
此外，劉教授研發之「鍺次氧化物移除方法」專利亦為一種應用超臨界流體於鍺基金氧半場效電晶體元件之製程技術，可提升鍺半導體通道表面的品質，有效降低鍺基金氧半場效電晶體元件的閘極漏電流。
劉柏村特聘教授研發之「半導體元件製造方法」專利技術，應用微波退火技術於非晶態金屬氧化物半導體製程中，可以有效提升氧化物薄膜電晶體元件的效能與電性可靠度。
半導體退火製程 在 解密科技寶藏 Facebook 的精選貼文
「半導體製程」需要透過加熱🔥、冷卻❄來改善材料的微結構，目前主流技術一次只能處理一片晶圓，耗能又費時，來看看科技專案支持下，以家用微波爐頻率研發出的「半導體微波退火🌡」不但能一次處理多片晶圓，成本更低、壽命更長💪！
#微波爐居然比工業頻率更有效率