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報告題名： 高介電空間層無源/汲極接面電晶體之特性模擬研究

同下，半導體電子親和力χS=2eV，而功函數金屬與半導體分別為. φM=4eV、φS=2.5eV。在利用能帶圖比較後發現使用high-κ oxide 的. MOS 電容結構具有較大的表面電位，換而言 ...

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