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具金屬閘極之半導體結構與形成方法

... 定義出的溝槽19中。 接著如第2圖所示,蝕刻虛置圖案化多晶矽層12a以曝露出溝. 槽19,再 ... 而此功函數調整層82可依據半導體的型態可由N型功函數調. 整層82 所構成或由P型功 ...

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