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[爆卦]電流磁場方向是什麼？優點缺點精華區懶人包

雖然這篇電流磁場方向鄉民發文沒有被收入到精華區：在電流磁場方向這個話題中，我們另外找到其它相關的精選爆讚文章

在 電流磁場方向產品中有16篇Facebook貼文，粉絲數超過1萬的網紅銀色快手（Silverquick），也在其Facebook貼文中提到， 我不敢說我看懂了天能 （以下重雷劇透，請斟酌觀看） TENET 這個字是信條、原則、宗旨 在本片中它更呈現出一種「狀態」，關於時間的狀態。 就如同 INCEPTION 在英文原來的意思是一個組織或活動的開端 在全面啟動中它被賦予的意涵是「意念植入」，原意卻與天能組織有所呼應 大家都知道 TE...

　同時也有28部Youtube影片，追蹤數超過2萬的網紅Marc Yam，也在其Youtube影片中提到，Section IV Electricity and Magnetism 4.3.1 Electromagnetism Magnetic Force between Parallel Wires...

「電流磁場方向」的推薦目錄

電流磁場方向 在 Beginneros｜每日分享冷知識? Instagram 的最佳解答

2021-02-02 03:25:29

【#TBT #冷知識重溫系列｜#地球磁場的功用】 全靠地球磁場，日常才可以用網上地圖來辨別方向。不過你又知道它是令人類可以生存於地球上的最強防盾嗎？ 地球會產生 #磁場，最普遍的學說是因為地球外核內有熔狀金屬元素的對流產生電流，再因電磁感應而由核心內產生出磁場。雖然這個學說未經證實，甚至有科學家想...

電流磁場方向 在 研之有物 Instagram 的最佳解答

2021-09-10 22:34:21

【#數理百寶袋 #自旋電子】​ ​ 數理對研編來說很難～但是在生活中，有手機，平板，電腦相伴，皆是電子學帶給我們科技的果實！有興趣的話一起來初探一下自旋電子學吧！​ ​ 💽 先來認識電子是什麼？​ ​ 電子（Electron）帶有負電的次原子粒子是世界上最神祕的粒子之一，通常標記為 e- 。​ ​ ...

電流磁場方向 在 一天一Google / 知識型instagram Instagram 的最讚貼文

2020-05-09 11:10:22

#agad359 #知識 #20180814 生蠔/牡蠣/蚵仔，不是以體型區分 台灣主要養殖的品種是葡萄牙牡蠣（原產自台灣），依養殖方式不同（以下詳述），大約要經過一年的飼養才能採收，而且養殖的環境也會影響體型大小。當然若不趕著採收（無太大天災），養愈久則愈肥大，稱為老蚵仔、老牡蠣。總之無論大小，以...

  • 銀色快手（Silverquick）

    電流磁場方向 在 銀色快手（Silverquick） Facebook 的最佳解答

    2020-09-03 15:30:57
    有 125 人按讚

    我不敢說我看懂了天能
    （以下重雷劇透，請斟酌觀看）

    TENET 這個字是信條、原則、宗旨
    在本片中它更呈現出一種「狀態」，關於時間的狀態。

    就如同 INCEPTION 在英文原來的意思是一個組織或活動的開端
    在全面啟動中它被賦予的意涵是「意念植入」，原意卻與天能組織有所呼應

    大家都知道 TENET 這個詞彙源於薩托魔方陣 Sator Square
    它倒著念也行，正著念也行，恰好符合時間狀態的順向和逆行同時存在的矛盾時空

    接下來我們來看女主 Kat 的兒子 MAX
    　
    MAX 在法文名字裡是 MAXIMILIEN
    這個名字是它由佛利德里希三世（Friedrich III）在1459年為他的兒子創造，並解釋說是由兩位羅馬將軍麥西姆斯（Maximus）和西皮奧·艾米利亞努斯（Scipio Aemilianus）的名字組合而成，有許多早期基督徒的名字是 Maximilianus，MAXIMILIEN 這個名字可能源自 Maximilianus。

    如果依據迴文（palindrome）的書寫設定，把 MAXIMILIEN 倒過來看，你就會發現 NEIL 始終出現在身邊。中間的 IMI 像是一座橋樑，把 MAX 和 LIEN 連結起來，產生了類似於迴文的趣味，也同時暗示了片尾尼爾NEIL 的真實身分其實就是 MAX。

    不單只是這樣，ROTAS 旋轉門分成藍色與紅色的設定，解謎的關鍵在影片中主角前往秘密實驗室實驗室，Clémence Poésy 所飾演的那個女性科學家在她身後的白板上清楚的解說「麥克威爾方程組 Maxwell's equations」的原理與操作。

    根據維基百科的介紹它是一組描述電場、磁場與電荷密度、電流密度之間關係的偏微分方程式。該方程組由四個方程式組成，分別是描述電荷如何產生電場的高斯定律、表明磁單極子不存在的高斯磁定律、解釋時變磁場如何產生電場的法拉第感應定律，以及說明電流和時變電場怎樣產生磁場的麥克威爾-安培定律。　

    想要看懂天能，你除了要瞭解「熵」和「熱力學第二定律」之外，還要認識一個叫做「麥克威爾惡魔」Maxwell's demon 的概念（就是文章中的這張圖片）它是在物理學中假想的惡魔，它能監測並控制單個分子的運動，於1871年由英國物理學家詹姆斯·麥克威爾為了說明違反熱力學第二定律的可能性而設想的。

    Maxwell's demon 基本上就是諾蘭設計旋轉門的理論基礎，藍色和紅色分別代表順向時間流與逆向時間流，惡魔控制並監測不同的流向的分子，但是當惡魔之門打開的時候，分子會混亂的移動，直到它們本身維持著某種矛盾與平衡，諾蘭藉由這個設定，創造了反向熵的全新視界，並且藉由使用旋轉門來演示反向熵的分子運動效果，而最終的核戰廢墟大戰，紅隊士兵與藍隊士兵的進攻與掩護，就好像Maxwell's demon 模型當中，紅色分子與藍色分子的運動方向模擬，沒有正確的解答，只有可能的混沌、混亂、衝突和矛盾，這才是反向熵的物理世界與順向時間流的現實世界彼此碰撞的結果。

    安德烈薩托Andrei Sator在塔林碼頭的倉庫拿著槍威脅妻子Kat時，就說出了這句話"This is where our worlds collide"我們的世界就在這裡彼此碰撞，於是帶出了高速公路追逐戰以及反向熵物理世界呈現的混亂感，這些劇情正是Maxwell's demon 在天能世界觀當中的具象化呈現，導演運用演出的方式把艱深的理論模型幻化成我們肉眼看得見的故事劇情，而且視覺效果相當震撼，高速公路追逐戰那場戲在愛沙尼亞首都塔林市主要幹道派爾努公路進行，並關閉了鄰近的街道以便拍攝，特別情商塔林市長支持，足足封路了33天才完成所有的拍攝作業。

    當你理解了Maxwell's demon 的物理假想模型，以及旋轉門的秘密之後，再回過頭來看 MAXIMILIEN 這個隱藏的迴文字謎，你會發現IMI就像左右兩邊的旋轉門，它架設起一座時間的橋樑，通過它可以來到順向時間流的現實世界和反向熵的物理平行世界，而 MAX 和 NEIL 也在這座橋上來來去去，展開他充滿傳奇冒險的人生旅程。

    原題：天能電影隱藏的字謎與姓名學聯想

    文 / 銀色快手（Silverquick） 昨晚完成天能二刷的人
    20200903 PM 03:19 桃園 寫作的房間

  • 麥克風的市場求生手冊

    電流磁場方向 在 麥克風的市場求生手冊 Facebook 的精選貼文

    2020-08-13 21:36:04
    有 410 人按讚

    【台積電佈局新存儲技術】

    近年來，在人工智能（AI）、5G等推動下，以MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）、鐵電隨機存取存儲器 (FRAM)、相變隨機存取存儲器（PRAM），以及可變電阻式隨機存取存儲器（RRAM）為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括台積電、英特爾、三星和格羅方德（Globalfoundries）。

    那麼，這些新興存儲技術為什麼會如此受期待呢？主要原因在於：隨着半導體制造技術持續朝更小的技術節點邁進，傳統的DRAM和NAND Flash面臨越來越嚴峻的微縮挑戰，DRAM已接近微縮極限，而NAND Flash則朝3D方向轉型。

    此外，傳統存儲技術在高速運算上也遭遇阻礙，處理器與存儲器之間的「牆」成為了提升運算速度和效率的最大障礙。特別是AI的發展，數據需求量暴增，「牆」的負面效應愈加突出，越來越多的半導體廠商正在加大對新興存儲技術的研發和投資力度，尋求成本更佳、速度更快、效能更好的存儲方案。

    從目前來看，最受期待的就是MRAM，各大廠商在它上面投入的力度也最大。MRAM屬於非易失性存儲技術，是利用具有高敏感度的磁電阻材料製造的存儲器，斷電時，MRAM儲存的數據不會丟失，且耗能較低，讀寫速度快，可媲美SRAM，比Flash速度快百倍，在存儲容量方面能替代DRAM，且數據保存時間長，適合高性能應用。

    MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發難度高，目前主要分為兩大類：傳統MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅動，後者則採用自旋極化電流驅動。

    另外，相較於DRAM、SRAM和NAND Flash等技術面臨的微縮困境，MRAM可滿足製程進一步微縮需求。目前，DRAM製程工藝節點為1X nm，已接近極限，而Flash走到20 nm以下後，就朝3D製程轉型了。MRAM製程則可推進至10nm以下。

    在過去幾年裏，包括台積電、英特爾、三星、格羅方德等晶圓代工廠和IDM，相繼大力投入MRAM 研發，而且主要着眼於STT-MRAM，也有越來越多的嵌入式解決方案誕生，用以取代Flash、EEPROM和SRAM。

    - 台積電

    早在2002年，台積電就與工研院簽訂了MRAM合作發展計劃。近些年，該公司一直在開發22nm製程的嵌入式STT-MRAM，採用超低漏電CMOS技術。

    2018年，台積電進行了eMRAM芯片的「風險生產」，2019年生產採用22nm製程的eReRAM芯片。

    2019年，台積電在嵌入式非易失性存儲器技術領域達成數項重要的里程碑：在40nm製程方面，該公司已成功量產Split-Gate（NOR）技術，支持消費類電子產品應用，如物聯網、智慧卡和MCU，以及各種車用電子產品。在28nm製程方面，該公司的嵌入式快閃存儲器支持高能效移動計算和低漏電製程平台。

    在ISSCC 2020上，台積電發佈了基於ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該技術基於台積電的22nm ULL（Ultra-Low-Leakage）CMOS工藝，具有10ns的極高讀取速度，讀取功率為0.8mA/MHz/bit。對於32Mb數據，它具有100K個循環的寫入耐久性，對於1Mb數據，具有1M個循環的耐久性。

    它支持在260°C下進行90s的IR迴流焊，在150°C下10年的數據保存能力。它以1T1R架構實現單元面積僅為0.046平方微米，25°C下的32Mb陣列的漏電流僅為55mA。

    目前，台積電已經完成22nm嵌入式STT-MRAM技術驗證，進入量產階段。在此基礎上，該公司還在推進16 nm 製程的STT-MRAM研發工作。

    除了MRAM，台積電也在進行着ReRAM的研發工作，並發表過多篇基於金屬氧化物結構的ReRAM論文。

    工研院電光所所長吳志毅表示，由於新興存儲技術將需要整合邏輯製程技術，因此現有存儲器廠商要卡位進入新市場，門檻相對較高，而台積電在這方面具有先天優勢，因為該公司擁有很強的邏輯製程生產能力，因此，台積電跨入新興存儲市場會具有競爭優勢。

    據悉，工研院在新興存儲技術領域研發投入已超過10年，通過元件創新、材料突破、電路優化等方式，開發出了更快、更耐久、更穩定、更低功耗的新一代存儲技術，目前，正在與台積電在這方面進行合作。未來，台積電在新興存儲器發展方面，工研院將會有所貢獻，但具體內容並未透露。

    - 三星

    三星在MRAM研發方面算是起步較早的廠商，2002年就開始了這項工作，並於2005年開始進行STT-MRAM的研發，之後不斷演進，到了2014年，生產出了8Mb的eMRAM。

    三星Foundry業務部門的發展路徑主要分為兩條，從28nm節點開始，一條是按照摩爾定律繼續向下發展，不斷提升FinFET的工藝節點，從14nm到目前的7nm，進而轉向下一步的5nm。

    另一條線路就是FD-SOI工藝，該公司還利用其在存儲器製造方面的技術和規模優勢，着力打造eMRAM，以滿足未來市場的需求。這方面主要採用28nm製程。

    三星28nm製程FD-SOI（28FDS）嵌入式NVM分兩個階段。第一個是2017年底之前的電子貨幣風險生產，第二個是2018年底之前的eMRAM風險生產。並同時提供eFlash和eMRAM（STT-MRAM）選項。

    該公司於2017年研製出了業界第一款採用28FDS工藝的eMRAM測試芯片。

    2018年，三星開始在28nm平台上批量生產eMRAM。2019年3月，該公司推出首款商用eMRAM產品。據悉，eMRAM模塊可以通過添加三個額外的掩膜集成到芯片製造工藝的後端，因此，該模塊不必要依賴於所使用的前端製造技術，允許插入使用bulk、FinFET或FD-SOI製造工藝生產的芯片中。

    三星表示，由於其eMRAM在寫入數據之前不需要擦除週期，因此，它比eFlash快1000倍。與eFlash相比，它還使用了較低的電壓，因此在寫入過程中的功耗極低。

    2018年，Arm發佈了基於三星28FDS工藝技術的eMRAM編譯器IP，包括一個支持18FDS (18nm FD-SOI工藝)的eMRAM編譯器。這一平台有助於推動在5G、AI、汽車、物聯網和其它細分市場的功耗敏感應用領域的前沿設計發展。

    2019年，三星發佈了採用28FDS工藝技術的1Gb嵌入STT-MRAM。基於高度可靠的eMRAM技術，在滿足令人滿意的讀取，寫入功能和10年保存時間的情況下，可以實現90％以上的良率。並且具備高達1E10週期的耐久性，這些對於擴展eMRAM應用有很大幫助。

    2019年底，Mentor宣佈將為基於Arm的eMRAM編譯器IP提供IC測試解決方案，該方案基於三星的28FDS工藝技術。據悉，該測試方案利用了Mentor的Tessent Memory BIST，為SRAM和eMRAM提供了一套統一的存儲器測試和修復IP。

    - Globalfoundries（格羅方德半導體股份有限公司）

    2017年，時任Globalfoundries首席技術官的Gary Patton稱，Globalfoundries已經在其22FDX（22nm製程的FD-SOI工藝技術）製程中提供了MRAM，同時也在研究另一種存儲技術。

    由於Globalfoundries重點發展FD-SOI技術，特別是22nm製程的FD-SOI，已經很成熟，所以該公司的新興存儲技術，特別是MRAM，都是基於具有低功耗特性的FD-SOI技術展開的。

    今年年初，Globalfoundries宣佈基於22nm FD-SOI 平台的eMRAM投入生產。該eMRAM技術平台可以實現將數據保持在-40°C至+125°C的温度範圍內，壽命週期可以達到100,000，可以將數據保留10年。該公司表示，正在與多個客户合作，計劃在2020年安排多次流片。

    據悉，該公司的eMRAM旨在替代NOR閃存，可以定期通過更新或日誌記錄進行重寫。由於是基於磁阻原理，在寫入所需數據之前不需要擦除週期，大大提高了寫入速度，宏容量從4-48Mb不等。

    - 英特爾

    英特爾也是MRAM技術的主要推動者，該公司採用的是基於FinFET技術的22 nm製程。

    2018年底，英特爾首次公開介紹了其MRAM的研究成果，推出了一款基於22nm FinFET製程的STT-MRAM，當時，該公司稱，這是首款基於FinFET的MRAM產品，並表示已經具備該技術產品的量產能力。

    結語

    由於市場需求愈加凸顯，且有各大晶圓廠大力投入支持，加快了以MRAM為代表的新興存儲技術的商業化進程。未來幾年，雖然DRAM和NAND Flash將繼續站穩存儲芯片市場主導地位，但隨着各家半導體大廠相繼投入發展，新興存儲器的成本將逐步下降，可進一步提升 MRAM等技術的市場普及率。

    原文：
    https://mp.weixin.qq.com/s/sMZ0JwclWf1zAEPkW8Rn0Q

  • FlashFire富雷迅

    電流磁場方向 在 FlashFire富雷迅 Facebook 的最讚貼文

    2020-03-18 15:09:32
    有 10 人按讚

    💗NEW PROJECT~~part2.💗 Ready~~💗
    -
    ‼️今天來教大家認識市售耳機驅動的種類吧~‼️
    🔜小編我可是也很注重聲音這塊的😉

    🔸動圈式：(有圓圓大大身軀的那種)
    動圈式耳機的發聲原理是藉由耳機內部的線圈利用通電的方式帶動振膜發聲，而動圈式耳機所使用的振膜材質也會大幅的影響耳機發聲，理論上振膜越大、所發出來的聲音越好。但是也因為電圈+振膜的大小會影響耳機成形的大小，所以在耳罩型耳機上會是構造上的主流，但是在耳塞式或是入耳式耳機的話，做得太小反而音質會比較不好。

    🔸動鐵式：(通常身形細小)
    動鐵式耳機又稱平衡電樞式耳機，利用電磁鐵產生的磁場的變化，震動電磁鐵中的鐵片來帶動振膜的發聲，優點在於驅動的靈敏度高、低失真，又體積具有體積小的優勢，所以適合製作入耳式耳機，不過缺點則是單價高，好的動鐵型入耳式耳機通常都不便宜。

    🔸電容式：(很貴的那種，通常要去專門店才買的到)
    電容式也稱靜電式耳機，相較於動圈式或是動鐵式耳機來說，更可以達到低失真、高解析的聲音，而靜電式耳機的做動原理則是利用超薄的金屬振膜利用電壓所形成的反向磁場，當聲音電流通過的時候可以造成振膜不同方向的移動來發聲，具有高速線性反應好、低失真、高解低物等優點。但是缺點就是非常貴，目前只看過應用在高端的耳機上。

    🔥上面這些知識是最最最基本的喔~~大家可以依照自己所好去選擇喜歡的機型~~

    #奧地利名牌
    #圖片僅為示意僅供參考
    #新品計畫中

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