作者flylikeswind (飄揚如風)
看板Electronics
標題[問題] MOSFET通道與電流方向問題
時間Fri Dec 18 00:49:07 2015
板上的各位大大們好
有兩個關於MOS的問題想請教大家
1.一顆NMOS在我們的電路設計當中,電流定義的方向是從S流到D,這樣會違反原本MOS
所定義的電流方向嗎?還是對MOS來講,電流要從S流到D或D流到S,都可以,因為那個只
是個通道而已呢?另外,假如NMOS的通道導通後,電流會走通道還是走body diode呢?
是否為導通電阻對電流來說阻抗比body diode的順向電壓還小,所以幾乎都走S到D的
這個通道這樣嗎?
2.另外想請問,假如電流由S流到D,那還會有所謂的rds(on)存在嗎?
麻煩各位幫忙了 謝謝
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→ p20162: MOS當開關是雙向的 StoD就要看那邊好走就走哪 12/18 12:57
→ p20162: 2.依然存在 12/18 12:59
→ chaos0323: 覺得怪怪的,如果s-d表示s的電位比d高,那gate 還有辦 12/18 13:19
→ chaos0323: 法讓mos導通嗎? 你的gate 是參考那邊? 我是沒這樣用 12/18 13:19
→ chaos0323: 過。 12/18 13:19
→ flylikeswind: 所以說不是操作在三級管區就不用考慮到方向的問題囉 12/18 15:18
→ flylikeswind: @chaos 我一開始就是在想這個問題 因為我S的電位會 12/18 15:19
→ flylikeswind: 比D高 而我Vgs是直接給一個固定的電壓 讓MOS(開關) 12/18 15:23
→ flylikeswind: 常開 所以可能不會去影響到 只是覺得怪怪的 12/18 15:24
→ kerkerker: 有電路圖嗎? 12/18 22:58
推 tim9911564: 1.電流方向由偏壓決定,電子流S到D,電流相反 12/19 10:45
→ tim9911564: 2.On state大部分走通道,diode會看到built in potent 12/19 10:45
→ tim9911564: ial,而通道的potential被gate control而barrier heigh 12/19 10:45
→ tim9911564: t下降。 12/19 10:45
→ woko: NMOS高電壓一端為D/低電壓一端為S 12/21 16:32
→ woko: PMOS高電壓一端為S/低電壓一端為D 12/21 16:33
→ woko: 電流方向都是從高壓指向低壓 12/21 16:34
→ woko: 也就是MOS符號的箭頭方向 12/21 16:34
→ woko: 結構上S/D通常為對稱設計 12/21 16:36
→ woko: 如何定義則取決於電壓高低 12/21 16:37
→ flylikeswind: 謝謝各位的幫忙 12/24 09:18
推 zadarler: Woko 正解 01/20 22:18