😉 全球 CPU 散熱模組龍頭廠
奇鋐 擁有勞退新舊制基金 11% 的持股，勞動部勞動基金運用局表示，勞動基金投資前提是穩定獲利，以獲取長期穩健之績效為目標，因此在選擇標的上，追求的是殖利率佳、穩定性高和流動性好，在夠大、夠穩基礎上追求長期穩定收益。
另外從數據也可發現，政府的四大基金-台股操盤績效，都不輸給大盤，因此選股能耐還是有一定口碑的。
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📌 奇鋐 (3017)
奇鋐成立於 1991 年，大股東是日商 Furukawa Electric (17.6%)，主要業務為 散熱模組的設計、製造與銷售，在全球各地擁有 600 多名技術人員，和總數超過 1 萬名的員工，另擁有超過 1700 多項技術專利。
目前是全球最大的 CPU 散熱風扇供應廠和 主要的 NB 散熱模組供應廠，( 市場佔有率分別為 35% 與 20% ) 早年產品以 PC 散熱為主，近年來轉向發展利基型產品，如通訊設備、伺服器應用散熱領域。
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📌 散熱模組
散熱模組之應用從桌上型電腦 CPU 的發展而來，回顧 Intel 與 AMD CPU 的發展歷程，發熱量隨著工作時脈之提昇而增加。因此桌上型電腦的 CPU 散熱設計一直隨著新款 CPU 的推出而呈現不同的面貌，從散熱器的形式、材料的選用至風扇的選用均有明顯的改變。以下介紹常見的散熱方式 :

-鋁銅散熱片
藉由鋁銅等材料的導熱性，去加速散熱效果。

-結合熱管
熱管為利用兩項變化 (液、汽) 及蒸氣流動的一種熱傳遞裝置。工作原理為熱管內的壓力極低，工作流體在約 30℃ 時即可蒸發，利用工作流體在高溫 CPU 處吸收熱量蒸發，流向遠端散熱片放出熱量後凝結成液態，再藉由毛細結構所提供之毛細力流回高溫端。

-結合平板型熱管
平板型熱管其作業方式與熱管相同，因此當平板型熱管局部位置與較小面積之發熱元件接觸時，平板型熱管此處之工作流體因受熱而處於飽和狀態之下，所以迅速蒸發（吸熱）。

-高導熱複合材
理想的電子構裝與散熱材料要具備高熱傳導率、低密度及低膨脹係數之特性，要滿足以上特性已非一般傳統的單獨(Monolithic)材料，如銅、鋁所能達到，而必須運用到兩種以上的材料組合。在所有先進熱管理材料中，碳纖維複合材料，由於具有高熱導傳導(高於銅)，同時具有比鋁、銅等較低的密度與熱膨脹係數，而視為頗具潛力的熱管理材料。

-風扇
藉由空氣對流，加快導熱速度。
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交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智以及交通大學電子系教授暨國際半導體產業學院副院長陳冠能團隊，與美國UCLA杜經寧院士合作，在微電子封裝業的研究有重大突破。


2015-06-03 交大研發第五代高階電子封裝技術 低溫(150 oC)及低壓下之銅-銅直接接合


交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智以及交通大學電子系教授暨國際半導體產業學院副院長陳冠能團隊，與美國UCLA杜經寧院士合作，在微電子封裝業的研究有重大突破。團隊利用特殊電鍍技術，發展低溫低壓的銅銅接合技術，若未來進一步提升反應速度與均勻度，將有望取代銲錫，成為繼打線接合、捲帶自動接合、覆晶封裝技術、微凸塊/矽穿孔電鍍後的第五代電子封裝技術。



交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智表示，2012年團隊利用特殊電鍍技術，製備具有高度(111)優選方向的奈米雙晶銅金屬膜 (當時發表於Science期刊)。因為(111)面為最密堆積平面，其平面上的銅原子擴散速度較快的特性，團隊開始發展低溫低壓的銅銅接合技術，目前已經可以成功在一般真空環境(10-3 torr)下，以低溫(150 oC)低壓(小於1MPa)進行銅-銅接合，接合過程可在60分鐘內完成(如下圖)。此溫度已經遠低於一般無鉛銲錫迴銲的溫度，若將溫度提昇至250 oC，將可在十分鐘內接合完成，此一令人振奮的結果在銅-銅接合發展上，是一重大突破，並已發表於五月出版的科學報導(Scientific Reports)。



研究團隊表示，現今半導體界的發展乃跟隨著摩爾定律的曲線，但預期即將達到微影技術及材料的物理極限，無法再繼續微縮。而三微積體電路(3D IC)技術低耗能及高傳導的優點，被預期能使各大廠繼續維持在摩爾定律上的技術，並且能大幅減少元件尺寸。現今3D IC 技術中，因銲錫具有低熔點及製程簡單的優點，所以自1969年以來被廣泛應用於半導體元件中的接點，但在大家不斷追逐體積縮小的效應下，會造成機械性質較脆、導熱速度慢。因此，使用焊錫接點在3D IC的應用會引發許多可靠度的問題。



銅具有非常好的導電率與導熱係數，但因熔點為1083 oC，要將兩片銅膜直接接合有其難度。過去銅接合的研究指出可在超高真空(10-8 torr)的環境下，將兩片經過氬離子束表面活化且具有高平整度的銅膜，可在室溫且不需施加壓力的情況下做接合。但由於此方法需要超高真空(10-8 torr)的環境，對於業界來說所需耗費的成本過高。此外，也有研究提出可在一般的真空(10-3 torr)環境下，利用300oC的熱壓可接合兩片銅膜，但300oC的溫度對於業界實際應用來說溫度還是過高。除了熱預算對成本及可靠度的影響外，有些應用例如CMOS image sensor，希望其接合溫度能降低到200 oC以下。綜合以上所述，銅直接接合技術要能實際應用在業界，必須符合兩個要求: (1)一般的真空環境下(10-3 torr)、(2)接合溫度需低於300 oC。



交大研究團隊成功研發在一般真空環境(10-3 torr)下，以低溫(150 oC)低壓(小於1MPa)進行銅-銅接合，實為學術與產業界一大突破。更難能可貴的是，此一研究為台灣團隊主導，實驗也都在台灣完成，足以證明交大與台灣的研究水準具世界級競爭力。此技術已經獲得台灣發明專利，並同時申請美國及德國專利。



本研究是台灣團隊主導，研究水準具世界級競爭力



此研究由交通大學材料系陳智教授與電子系陳冠能教授領導，團隊成員包含交通大學材料系博士後研究員劉健民博士、蕭翔耀博士，與博士班學生劉道奇、林漢文、呂佳凌、黃以撒，碩士班學生呂典融，以及加州大學洛杉磯分校，同時也是中研院院士杜經寧教授等人，所有的實驗都在台灣完成。



秘書室
科學新知
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