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收斂電子束繞射之矽鍺磊晶晶體結構分析研究

薄TEM試片的製備過程中所產生之自由表面應力釋放效應為造成此現象的主要原因。測定在280 nm、430 nm與550 nm的TEM試片厚度下的高指數Laue晶帶線的分裂寬度，晶格平面 ...

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