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從CSW 2016看半導體材料與製程發展近況 - 材料世界網

研究團隊發展Template Assisted Selective Epitaxy ( TASE )技術製作III-V族材料，此擇區成長奈米材料技術除了可配合製作穿隧FETs外，也可在不同成長 ...

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