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CN101930941A - 浅沟槽隔离结构的制造方法- Google Patents

本发明揭露了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，该方法包括：提供具有沟槽的半导体衬底；在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层；在所述沟槽中填充绝缘介质。

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