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#1淺槽隔離，即shallow trench isolation - 中文百科知識
淺槽隔離，即shallow trench isolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...
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#2CN1324673C - 形成浅沟槽隔离(sti)的方法及其结构 - Google ...
本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法以减少应力改善电子迁移，其中该方法包括：提供一半导体基底，具有至少一图案化硬掩模层于其上；利用该至少一图案化硬掩模层 ...
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#3浅槽隔离_百度百科
浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物， ...
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#4工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文
擾越來越明顯，被用來作為元件之間絕緣的淺溝槽隔離製程(Shallow. Trench Isolation, STI)也就變得愈來愈重要。 然而，淺溝槽隔離技術有許多問題尚需解決，應力之問題 ...
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#5浅槽隔离工艺（STI） - 芯片版图
相信很多在现在看工艺厂的相关文档时，会看到有些图上面标有STI的注释，STI是英文shallow trench isolation的简称，翻译过来为浅槽隔离工艺。
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#6淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰
從IC元件設計的觀點而言，淺溝. 渠隔離技術(Shallow Trench Isolation,. STI)比起先前區域性矽表面氧化隔離技. 術(LOCal Oxidation of Silicon, LOCOS).
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#7淺溝槽隔離shallow trench isolation sti技術與製作流程 - 軟體兄弟
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。
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#8CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。
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#9微纳加工技术_工艺模块_STI 浅槽隔离 - CSDN博客
工艺模块文章目录工艺模块浅槽隔离LOCOS 隔离浅槽隔离因为第一层布线有可能引起器件的反型，所以需要隔离；LOCOS 隔离氧化层一般500nm厚；22nm工艺的 ...
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#10分子结构在调节浅沟槽隔离（STI）化学机械平面化（CMP ...
随着特征尺寸继续缩小到远远超过7 nm节点，了解化学机械平面化（CMP）工艺中存在的微妙平衡至关重要。为了实现高产量和无缺陷的CMP工艺， ...
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#11Ch13 Process Integration
矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程和CVD氧化物溝槽之填充被接著發展. 出來. 6. STI: 襯墊氧化及LPCVD 氮化矽. P型磊晶層. P型晶圓. N型井區.
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#13浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件优化-手机知网
浅沟槽隔离 技术是一种新的MOS集成电路隔离方法,它可以在全平坦的条件下消除局部氧化(LOCOS)技术的“鸟嘴”缺陷,绝缘层可以更厚,可以减少电极间的漏电流和承受更大的击穿 ...
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#14成功大學電子學位論文服務
在奈米金氧半元件淺溝槽隔離(STI)製造中, 高密度電漿化學沉積(HDP CVD)方式成功地提供了有效的解決方案。 然而，隨著元件不斷的微縮以提高元件特性的過程 ...
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#16CN101826484A - 浅沟道隔离结构的制造方法- Google Patents
其中，浅沟槽隔离（STI，Shallow Trench Isolation)技术是最常用的用于深度亚微粒集成电路（IC)制造的隔离技术，而实际的应用情况已经证明，在STI技术中，STI结构的顶 ...
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#17一种双浅沟槽隔离形成方法 - X技术
它的缺点主要是工艺成本更贵，更复杂。但是和它的优点相比， 成本的增加是可以接受的。因此，在〇. 25 ym及以下的工艺，都使用STI隔离在集成电路制造工艺流程里，浅沟槽 ...
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#18淺溝槽隔離英文，電子工程 - 三度漢語網
中文詞彙 英文翻譯 出處/學術領域 淺溝槽隔離導出應力 stress induced by shallow trench isolation 【電子工程】 淺溝槽隔離 shallow trench isolation 【電子工程】 淺溝槽隔離凹槽 shallow trench isolation (STI) recess 【電子工程】
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#20申請日期
該溝槽典型地利用化學氣相沉積(CVD). 填充二氧化矽(SiOz)。過多的SiO2接著利用蝕刻或化學機械. 研磨(CMP)移除以形成場氧化物隔離,其通常被稱為淺溝槽. 隔離(STI)。
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#21國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...
金氧半場效電晶體（MOSFET）節點技術不斷縮小至22 奈米以下，因. 此在半導體應變工程中，接觸蝕刻終止層（CESL）與淺溝槽隔離（STI）被. 視為重要技術，兩種應力源可提高 ...
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#22創新STI蝕刻技術助攻20nm製程良率大增 - 每日頭條
淺溝槽隔離 (STI)是現今半導體製程中常見的元件隔離技術。為達到最佳的電晶體效能及生產良率，臨界尺度(CD)及溝槽深度須嚴密控制，當電晶體尺寸縮小 ...
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#23CN101930941A - 浅沟槽隔离结构的制造方法- Google Patents
本发明揭露了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，该方法包括：提供具有沟槽的半导体衬底；在所述沟槽的底部和侧壁形成氮氧化硅层；在所述沟槽中填充绝缘介质。
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#24半導體製程技術 - 聯合大學
多層金屬連線中當做電器隔離的介電質層. ▫ CVD 和自旋塗佈介電質加上CVD介電質. ▫ 淺溝槽絕緣(STI). ▫ 多晶金屬矽化物匣即會形成側壁空間層，這是形成.
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#25cmos相關製程步驟- sti淺溝槽 - 藥師+全台藥局、藥房、藥品資訊
STI (shallow trench isolation) ，淺溝槽隔離，一般是以二氧化矽做為材料，用以隔離MOS與MOS，device與device。6. HDPCVD USG (High Density .
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#26a. TEOS OX 製程b. W Polish 製程
除了應用在後段導線之製作，CMP亦應用於前段元件隔離之oxide回蝕製程，即淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI)。 化學機械研磨技術主要是綜合利用機械式的表面 ...
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#28深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺 - 维普
研究了浅沟槽隔离(STI)工艺的各主要工艺步骤:沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化.使用器件模拟软件Medici和Davinci分析了STI结构的隔离性能 ...
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#29“STI”是“Shallow Trench Isolation”的缩写，意思是“浅沟槽绝缘”
STI ”缩写通常代表Shallow Trench Isolation”，意思是“浅沟槽绝缘”。详细介绍英语缩写词STI的所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。
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#30【淺溝槽隔離】資訊整理& shallow trench isolation相關消息
淺溝槽隔離,CN103227143B - 浅沟槽隔离工艺- Google Patents,本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种浅沟槽隔离工艺，通过分步对硅衬底和氮化硅层进行刻蚀工艺， ...
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#31STI蝕刻技術將成為半導體晶圓廠大幅提高20奈米製程良率的 ...
... 奈米後，晶圓溝槽輪廓的深寬比和形狀均勻度變得極為重要，即便是些微的變異都會對良率造成不可忽視的影響，因此業界已開發出新的淺溝槽隔離(STI) ...
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#32創新STI蝕刻技術助攻20奈米製程良率大增 - 新電子
... 奈米後，晶圓溝槽輪廓的深寬比和形狀均勻度變得極為重要，即便是些微的變異都會對良率造成不可忽視的影響，因此業界已開發出新的淺溝槽隔離(STI) ...
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#33shallow trench isolation (sti) 中文 - 查查綫上辭典
shallow trench isolation (sti)中文:淺溝道隔離…，點擊查查權威綫上辭典詳細解釋shallow trench isolation (sti)的中文翻譯，shallow trench isolation (sti)的發音， ...
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#34sti 半導體– sti製程
而在BCD9世代之前，意法半導體於2011年左右發佈的是BCD8技術。它具有0,18μm CMOS閘極和4層化學機械研磨CMP的平面化鋁金屬，加上2層含矽化鈷的多晶矽，以及淺溝槽隔離STI。
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#35usg sti半導體的評價費用和推薦，EDU.TW、PTT.CC
CC、DCARD和這樣回答，找usg sti半導體在在EDU.TW、PTT. ... CVD USG 溝槽填充. ... 體工業上,尤其是淺溝渠隔離( STI) 及金屬沈積前的介電質層(PMD) .
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#36sti 半導體
淺槽隔離(Shallow Trench Isolation；STI)技術制作主動區域之間的絕緣結構已逐漸被普遍采用。STI結構的形成通常是先在半導體基底上沉積一層氮化硅層，然后圖案化此氮化 ...
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#37半导体晶元制造工序的前半部分）1. 元件隔离 - USJC
在这里我们介绍的是一种叫做STI（Shallow Trench Isolation）的技术。 ... 将抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻氮化硅膜、氧化硅膜、硅晶片以切割浅沟槽。当浅沟槽被切割 ...
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#38半導體溝道是什麼意思 - 上海市有色金属学堂
淺溝 道隔離來特點： ... STI技術工藝步驟：首先，類似LOCOS，依次生長SiO2淀積Si3N4塗敷光刻膠， ... 然後，進行場區注入，再用CVD淀積SiO2填充溝槽。
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#39日立化成將斥資20億日圓在台灣興建半導體用研磨液廠| SEMI
日立化成表示，該公司目前主要透過日本山崎事業所生產淺溝槽隔離(STI；Shallow Trench Isolation)用CMP Slurry，全球市佔率並高居首位，而上述台灣廠完工量產後，日立 ...
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#40藏在ST最新BCD節點的製程奧秘 - 電子工程專輯
該技術目前整合了三種隔離類型：深溝槽隔離(DTI)，用於隔離各種不同的電路區塊；CMOS邏輯採用淺溝槽隔離(STI)；而LDMOS功率電晶體區塊則使用矽上局部 ...
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#41浅槽隔离,shallow-trench isolation,音标,读音,翻译,英文例句 ...
3) shallow trench isolation(STI). 浅沟槽隔离(STI). 4) Recess [英][ri'ses] [美]['ri,sɛs, rɪ'sɛs]. 隔离槽. 例句>>. 5) isolation grooves. 隔离沟槽.
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#42半導體製程sti 半導體蝕刻製程中晶周缺陷及電弧現象改善之研究
6/23/2020 · 在同一半導體基板上製做複數個元件時，會造成chip size依舊很大，STI的作法就可以解決中間的depletion 2.1.2 淺溝槽隔離模組製程17 2.1.3 化學機械研磨 ...
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#43加热工艺（四） - 技术资讯
高温生长的二氧化硅在硅的局部氧化（LOCOS）和浅沟槽隔离（Shallow Trench Isolation，STI)形成时作为氮化硅的衬垫层。如果没有二氧化硅垫层作为应力 ...
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#44直接的浅沟槽隔离器件CMP技术在集成电路高压器件芯片制造 ...
本文就是在常规的浅沟槽隔离（STI）工艺基础上开发了一种新技术：直接的浅沟槽隔离（DSTI）工艺。这种技术通过使用一种高选择比的研磨剂，能够在不用反转光刻 ...
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#45106 年公務人員高等考試三級考試試題 - 公職王
和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝槽絕緣 ... 使用LOCOS(localized oxidation isolation method)技術形成氧化層隔離，主要是 ...
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#46淺溝槽隔離的英文怎麼說
sti. 淺: 形容詞1 （從上到下或從外到里的距離小） shallow 2 （淺顯） simple; easy 3 （淺薄） superficial 4 ... 溝: 名詞1 （挖掘的水道或工事） channel; ditch; ...
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#47半导体学报
使用器件模拟软件Medici 和Davinci 分析了STI 结构的隔离性能以及沟槽隔离MOSFET 的Kink 效应和. 反窄宽度效应. 关键词:浅沟槽隔离;化学机械平坦化;Kink ...
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#48CORONUS系列產品
淺溝槽隔離 (STI)、閘極、中段(MOL)、以及後段(back-of-line)製程的蝕刻後處理製程(post-etch); 沉積前和沉積後處理製程(pre- and post-deposition) ...
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#49當年度經費： 1186 千元 - 政府研究資訊系統GRB
本計畫研究的兩大主題結構：淺溝槽隔離結構(Shallow Trench Isolation, STI)，以及雙大馬士革結構(Dual Damascene) 均是為. 8. 金氧半高壓光伏模組技術開發.
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#50浅沟槽隔离构造及其制造方法技术 - 技高网
本专利技术是有关于一种，特别有关于一种浅沟槽隔离构造，其在沟槽内设有氮化物-氧化物-氮化物复合衬垫层。浅沟槽隔离技术(STI；shallow trench isolation) ...
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#51半導體用CMP STI研磨液全球市占率NO.1--日商日立化成南科新 ...
生產全球市占率第一的半導體關鍵材料CMP STI研磨液(STI:Shallow Trench Isolation淺溝槽隔離)，此廠為該公司第一家海外研磨液生產工廠。廠房面積2.48公頃，總投資 ...
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#52微纳加工技术_工艺模块_STI 浅槽隔离 - 程序员大本营
工艺模块文章目录工艺模块隔离LOCOS 隔离STI 浅槽隔离STI 制造流程完成图隔离因为第一 ... 的工艺流程首先是外延沉积多个Si/SiGe层，并形成和填充浅沟隔离(STI)模块。
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#53深亚微米CMOS技术 - 知乎专栏
... 技术采用浅沟隔离（Shallow Trench Isolation,STI）技术，浅沟槽隔离 ... CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为 ...
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#54CN113937057A 半导体衬底的处理方法、浅沟槽隔离结构及其 ...
本发明提供了一种半导体衬底的处理方法、浅沟槽隔离结构及其制作方法。该半导体衬底的处理方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底的表面覆盖多晶半导体材料 ...
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#55器件三種隔離方式 - 每日必讀
LOCOS缺點：鳥嘴效應，白帶效應，窄溝效應。LOCOS的深度一般在1000Å左右。 STI隔離（shiled trench isolation，淺槽隔離），可適用於0.35μm以下工藝， ...
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#56【shallow trench isolation製程】與【cmos相關製程步驟 ...
以化學機械研磨技術進行溝渠隔離氧化矽之回蝕面臨相當嚴苛的製程要求。 ... 淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation或STI) 傳統習用的LOCOS隔離法由於鳥嘴(bird掇beak) ...
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#57浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件优化 - 米米图书馆
浅沟槽隔离 技术是一种新的MOS集成电路隔离方法,它可以在全平坦的条件下消除局部氧化(LOCOS)技术的“鸟嘴”缺陷,绝缘层可以更厚,可以减少电极间的漏电流和承受更大的击穿 ...
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#58LOCOS和STI的区别是什么- 人工智能 - 电子发烧友论坛
浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。 ... 抛光（CMP）中充当阻挡材料（3）浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体离子刻蚀2）氧化硅填充（1）沟槽衬 ...
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#59Producer® HARP® | Applied Materials
应用材料公司的Producer HARP（高深宽比工艺）是一种非等离子体CVD 热氧化工艺，可满足高级逻辑FinFET和存储器技术节点的STI（浅沟槽隔离层）和PMD（金属前电介质层） ...
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#60sti 半導體STI
淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation，零件，在過幾年了創造了 ... 何謂STI (位置請參考Reference 1) 答：STI即為淺溝槽絕緣(Shallow Trench Isolation) 15.
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#61《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转） - 360Doc
STI 的全称是浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation)，创意来源于Fully Recess LOCOS，把坑挖好但是不是去长Field Oxide，我填充Field OXide进去就可以 ...
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#62基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管 ...
基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管的漏电流控制专利登记公告,专利号为:CN201080043865.6,专利申请（专利权）人:格罗方德 ...
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#63隔离技术-STI与LOCOS的区别 - 文档大全
提供隔离技术-STI与LOCOS的区别word文档在线阅读与免费下载，摘要:隔离技术简介 ... 器件特性不变（短沟道效应） ... 沟槽隔离（trench&refill），浅沟槽隔离（STI）.
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#64STI工艺等ppt课件 - 芭蕉百科网
STI 工艺等ppt课件以下是以前工作留下的STI相关学习资料，整理了一下，仅供参考。 ... STI是英文shallow trench isolation的简称，翻译过来为浅槽隔离工艺。
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#65半导体中的STI是什么意思_作业帮
半导体中的STI是什么意思. ... 浅沟道隔离特点： 能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件 ... 刻蚀在场区形成浅的沟槽.然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽.
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#66半导体中sti是什么意思 - 基尼分享网
semiconductor grade silicon 半导体极硅semiconductor 半导体sensitivity灵敏度shallow trench isolation(STI)浅沟槽隔离sheet resistance,RS 方块 ...
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#67STI 定义: 浅沟隔离- Shallow Trench Isolation - Abbreviation ...
如果您正在访问我们的非英语版本，并希望看到浅沟隔离的英文版本，请向下滚动到底部，您将看到浅沟隔离在英语中的含义。请记住，STI 的缩写广泛应用于银行、计算机、教育、 ...
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#68淺溝槽隔離的英文怎麼說 - TerryL
淺溝槽隔離 的英文怎麼說. 淺溝槽隔離英文. sti ... 溝: 名詞1 （挖掘的水道或工事） channel; ditch; gutter; trench 2 （淺槽;似溝的窪處） groove; rut; furr.
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#69何謂STI?
STI = Shallow Trench Isolation 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion region(空.
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#70圖解光電半導體元件 - 第 67 頁 - Google 圖書結果
隔離(STI)淺溝槽隔離(STI)淺溝槽隔離(STI) (substrate) P 型井 N 型井淺溝槽(a)2D-planarCMOS 汲極(drain)閘極(gate)源極(source)氧化層(oxide)基板 Step1 長氧化層 ...
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#71深次微米矽製程技術 - 第 226 頁 - Google 圖書結果
... 淺溝槽隔離( STI ) n # p 井淺溝槽隔離( STI )接觸多晶矽鋁矽化物圖 6.3 六層銅導線的結構示意圖(資料來源:劉富台,電子月刊)銅內連線製程的步驟,大致如下: 1.
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#72半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 198 頁 - Google 圖書結果
6.2.1 前段製程(FEOL)前段製程主要包括淺溝槽隔離、井形成、閘極氧化層、多晶矽 ... 淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI) STI 是一種在基板上電晶體主動區之間 ...
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#73Sti 是什麼
答：STI: Shallow Trench Isolation(淺溝道隔離)， STI可以當做兩個 ... STI：Shallow Trench Isolation，浅槽隔离步骤：先挖出沟槽，然后CVD淀 ...