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90nm技術前段製程面臨的挑戰分析 - 電子工程專輯.
在90nm以下製程節點,淺通道隔離(STI)的實現更具有挑戰性,它包括通道定義(微影、蝕刻)、通道內壁隔離層氧化(liner oxidation)、用沈積氧化層進行通道填充 ...
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