課程名稱︰積體電路工程
課程性質︰電子所NE組必修
課程教師︰吳肇欣教授
開課學院：電資學院
開課系所︰電子所
考試日期（年月日）︰2022/04/18
考試時限（分鐘）：120

試題 :

A、簡答（80%）
1. 繪出LOCOS製程
2. 什麼是STI？跟LOCOS比較有什麼優點？
3. 解釋什麼是edge dislocation / screw dislocation
4. 分別介紹一種destructive及non-destructive測量oxide thickness的方法
5. 什麼是latent image？必要的話可以畫圖表達
6. 什麼是bleaching effect？
7. How does a phase-shift mask work to sharpen images?
8. Jack Kilby and Robert Noyce both tried to make an integrated circuit. Whose w?ork is
more close to today’s IC process and why?
9. 從lithography的觀點，過去10年有什麼技術，讓半導體發展可以跟上Moore’s Law？
（寫出兩種feasible way）
10. 寫出clean room class 100的定義
11. FZ法跟CZ法分別有什麼優點
12. 寫出 Gettering 的步驟
13. 為什麼要用四點探針法？請詳細解釋
14. 解釋freeze out / extrinsic / intrinsic region的成因
15. 由數據圖判斷ABC三條curve的segregation coefficient大小
16. 畫出高、低頻的CV曲線

Ｂ、問答（20%）
1. 使用saturated H2O + O2 能否替代RCA中使用H2O2去除金屬離子（Au, Fe, Cu）的步驟？為什麼？
（題目給予SiO2生成、H2O分解、Au、Fe、Cu離子化的方程式及Standard Oxidation Potential）
2. 畫出PNP BJT的process flow





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