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半導體製程技術 - 聯合大學

離子佈植. P型井區. USG. STI. 多晶矽 n+ n+. 源極/汲極. 閘極氧化層. 摻雜物離子, As+. Page 11. 快速加熱退火. P型井區. USG. STI. 閘極氧化層. 多晶矽閘極.

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