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國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...

金氧半場效電晶體（MOSFET）節點技術不斷縮小至22 奈米以下，因. 此在半導體應變工程中，接觸蝕刻終止層（CESL）與淺溝槽隔離（STI）被. 視為重要技術，兩種應力源可提高 ...

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