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主張專利法第二十二條第二項第一款或第二款規定之事實,其

習知的STI 製造技術包括於半導體基板之上表面上形. 成襯墊氧化物(pad oxide);在該襯墊氧化物上形成例如氮. 化矽之一般具有大於1000 埃厚度之氮化物研磨終止層.

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