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一种提高栅氧化物介电常数的方法 - 真空技术网

从90 nm 技术节点开始，等离子氮化SiON 栅氧化层被广泛用作先进的CMOS 器件制造。作为传统SiO2 栅氧化层的替代材料，SiON 栅氧化层因其具有较高的介电 ...

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