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[爆卦]高介電常數是什麼？優點缺點精華區懶人包

雖然這篇高介電常數鄉民發文沒有被收入到精華區：在高介電常數這個話題中，我們另外找到其它相關的精選爆讚文章

在 高介電常數產品中有5篇Facebook貼文，粉絲數超過1萬的網紅UNIKO's Hardware，也在其Facebook貼文中提到， Intel 今日公開了現在及未來製程與封裝技術發展規劃，看起來前途一片光明~ #INTEL #製程 #封裝 #發展 #UH...

「高介電常數」的推薦目錄
  • UNIKO's Hardware

    高介電常數 在 UNIKO's Hardware Facebook 的最佳解答

    2021-07-27 12:38:52
    有 89 人按讚

    Intel 今日公開了現在及未來製程與封裝技術發展規劃，看起來前途一片光明~
    #INTEL #製程 #封裝 #發展 #UH

  • 台灣應用材料公司 Applied Materials Taiwan

    高介電常數 在 台灣應用材料公司 Applied Materials Taiwan Facebook 的最佳貼文

    2021-07-11 10:00:01
    有 113 人按讚

    【上課囉 📣 邏輯晶片大師班 幫你更深入了解半導體】

    應材工程副總裁Uday Mitra博士說「進入3nm以下的世界，材料工程是關鍵。」
    邏輯晶片大師課程，分別由三位講者，
    講述尺寸微縮時，半導體先進製程的挑戰與材料工程解決方法！

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    想知道三位講者各別討論的議題，繼續往下讀重點整理！

    1️⃣首先由Mike Chudzik博士揭開序幕，
    人工智慧、大數據和物聯網持續推動半導體需求，
    實現微縮需克服的物理限制，包括：
    提升電晶體開關的切換速度、
    FinFET微縮時面臨的鰭彎曲問題、
    高介電常數金屬閘極(HKMG)的多層接面的微縮，以及
    閘極全環(Gate All Around, GAA)結構的製程技術。
    全文請見：https://bit.ly/3hOH3hE

    2️⃣接著，Mehul Naik博士提到當尺寸微縮至3nm以下，
    內部連接介面電阻是最大的挑戰，
    電晶體傳輸功率的方式是影響微縮的關鍵因素，
    背向功率傳輸網絡(backside power delivery network)是新的解決方案，
    能降低電壓損失、縮小電晶體面積、為導線預留更多空間！
    全文請見：https://bit.ly/36qlyyg

    3️⃣最後，Regina Freed博士探討設計圖形的可變型，
    設計技術協同最佳化 (Design & Technology Co-Optimization, DTCO)是先進製程微縮的關鍵，
    讓工程師能用新材料、新設計突破節點限制，
    就好比蓋房子，當面積有限，
    我們可以增加第二層、地下室，
    而不是犧牲某些區域以擴大的空間，
    DTCO允許更巧妙的2D & 3D 設計，
    能維持相同間距，同時增加邏輯密度。
    全文請見：https://bit.ly/3hJGm9y

  • COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

    高介電常數 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳解答

    2020-11-25 14:30:00
    有 74 人按讚

    #寬能隙半導體WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #功率器件 #5G通訊 #功率放大器PA #量子接面電晶體QJT #USB-PD #原子層沉積ALD

    【SiCＸGaN 卡位戰起跑！】

    儘管目前 SiC 晶片成本仍較 IGBT 貴上 4～5 倍，然著眼於碳化矽 (SiC) 功率器件將受惠於全球交通電氣化轉型的不斷前行——從火車、有軌電車和無軌電車，到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁，微芯科技 (Microchip) 宣佈推出 SiC 功率模組套件，讓開發者無需再單獨採購功率模組和閘極驅動器 (包括用於成品生產的閘極驅動器)，不必在檢驗功率模組後又花費時間開發自己的閘極驅動器，可大幅縮短數個月的開發週期。

    另有鑑於目前氮化鎵 (GaN) 市場，功率電晶體和驅動 IC 通常是離散元件，使設計人員必須學習兩者間的協同作業以達到最佳性能，意法半導體 (ST) 推出全球首個單封裝整合矽基驅動晶片和 GaN 功率電晶體的解決方案；而恩智浦半導體 (NXP) 亦為 5G 射頻功率放大器 (PA) 於美國錢德勒啟用全新 6 吋 (150mm) 氮化鎵晶圓廠，針對氮化鎵技術進行深度最佳化，改善半導體中的電子陷阱 (electron trapping) 問題，藉由一流的線性度提供高效率和增益。

    製程方面亦有所突破。派科森 (Picosun) 公司利用原子層沉積 (ALD) 薄膜塗層解決上述困境：將預清洗方法與高介電常數和大能隙絕緣子結合使用可降低介面陷阱密度。與此同時，為滿足寬能隙設備測試需求，量測大廠太克科技 (Tektronix) 推出新型參數測試系統，可為晶圓廠最大程度減少投資並最大化每小時的晶圓產出。寬能隙半導體也牽動變壓器產業的生態，為平面變壓器 (Planar Transformer) 帶來需求轉捩點。

    延伸閱讀：
    《SiC、GaN 初入成長期，創新方案輩出》
    http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46363.html

    #微芯科技Microchip #AgileSwitch數位可程式設計閘極驅動器 #SP6LI #意法半導體ST #MasterGaN #恩智浦NXP #太克Tektronix #S530 #佩頓Payton

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