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高介電常數閘極介電層TDDB崩潰行為之研究

摘要: 隨著IC製程的演進，元件尺寸越做越小，而閘極氧化層(SiO2)也越來越 ... 所以使用高介電常數材料(High dielectric constant)來取代SiO2，一般稱 ...

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