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低溫微波退火對高介電係數介電層之影響及

半導體元件為了滿足時代的進展，互補式金氧半(CMOS)中的等效氧化厚度不斷. 的被要求微縮，而當二氧化矽(SiO2)微縮到1.5 nm 以下時，穿隧漏電流會變的相當明. 顯，導致元件 ...

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