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行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告- 積體電路新型閘 ...

Yamamoto[38]等人便在高介電常數的HfO2 薄膜下預先以熱氧化生成一層二氧化矽形成. HfO2/SiO2 的疊層結構，其目的在於二氧化矽與矽基板間的熱穩定性及界面性質皆較一般高.

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