... 寬在2.3eV及以上的半導體材料。SiC(Silicon carbide, 碳化矽)的帶隙寬為3.26eV,GaN(Gallium nitride, 氮化鎵)的帶隙寬為3.5eV,因此成為功率或射頻元件的新材料。
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