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氮化鎵與碳化矽半導體材料之應用趨勢

... 碳化矽（Silicon Carbide；SiC）的能隙寬度為3.05eV，是矽的3倍多， ... 隨高頻通訊、電動車的應用，化合物半導體市場成了新起之秀，WBG材料適合於運用在高溫高 ...

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