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寬能隙半導體的發展近況 - 電子時報

GaN(氮化鎵)與SiC（碳化矽）這兩種寬能隙（wide band gap）半導體在大陸被稱之為第三代半導體，這是相對於第一代Si、第二代化合物半導體如GaAs(砷化 ...

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