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製造溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體的方法 - Google Patents

在圖2E中，將第二光阻劑從晶圓表面移除之後，氧化層222A-222D和氧化層244A-244C之上方由於熱量生長出犧牲氧化層(sacrificial oxide layer)。

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