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107 Chapter 2 IC製程技術 - Scribd

首先生成SiC，SiC再與SiO2作用，形成Si, SiO, CO 決定拉昇速度因素： ... >10 >10 69 氧化層(pad oxide)、場氧化層(field oxide)，及犧牲氧化層(sacrificial oxide)。

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