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a-Si:H薄膜的制程沉积温度对a-Si:H/SiNx:H薄膜层的热稳定

度及后续的快速热退火(RTA)温度所对. 应的结晶程度变化，也利用XRD进行探. 讨。同时，在亮面晶圆上所制成的样. 品则用micro-PCD来进行少数载子生命. 周期的量测。

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