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先進奈米元件之金屬矽化物工程(I) 研究成果報告(精簡版)

同溫度下RTA(退火時間皆為30秒)，並浸泡. SPM(H2SO4: H2O2=3:1, 120℃)去除未反應金. 屬薄膜後所獲得片電阻值之數據。 圖2為未經離子佈植表面處理形成矽化鐿.

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