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反應離子刻蝕- 維基百科，自由的百科全書

這一系統中，ICP用來產生高濃度電漿體來加快蝕刻速率，另一單獨加在晶片（矽片）上的射頻（RF）偏壓用來產生定向電場，以達到各向異性的效果。

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