(4) 若以(3) p 型半導體的摻雜濃度Na、n型半導體的摻雜濃度No,形成pn 接面,求此pn 接. 面的內建電位Voi(3%)及空乏區寬度W(3%)。 (5) 假設pn 接面中空乏區沒有電流產生; ...
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