在半導體中，一直探討費米能階問題

念久了有些不懂的問題需要請教：

1.半導體書中都會告訴我們PN接面、金半接面與MOS電容器三個系統

若是無外加偏壓(即在熱平衡)下，

系統中的費米能階是一個常數。

但是，為何三個系統加了偏壓後，

系統中的分米能階會分裂成兩個，而不再只是一條直線?


2.為何PN接面在P型區接地、N型區加負偏時

N型區的Ef會較PN接面熱平衡時的Ef往上抬升

我的想法是，對電子來說，E=qV，

所以V<0，E應該是較PN接面熱平衡時的Ef往下降


3.金半皆面與MOS電容器

為何以能帶圖解釋偏壓時，

幾乎都聲明金屬端的費米能階不會動，動的都是半導體端的

是跟上述一樣，都是假設金屬端接地嗎?


4.最後，系統為金屬-n型半導體(金半接面)時

只有能量超過位能障的多數載子(電子)，

才能熱離子發射至對向。

金半接面的主要電流不考慮少數載子的影響。

這樣敘述是否正確。


請教各位了，謝謝！




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