為什麼這篇單邊p-n接面鄉民發文收入到精華區：因為在單邊p-n接面這個討論話題中，有許多相關的文章在討論，這篇最有參考價值！作者nicky1245 (c8c8c8)看板Tech_Job標題[請益] 台GG面試題目值得深思的小...
各位大大好
我今天在台積電面試的題目，看起來很簡單，但是滿值得思考的問題。
-----------------面試題目-------------------
假設電路上只有一個電壓源以及PN二極體
在二極體外加正偏電壓3V(或更大電壓) 除了不考慮材料的電流耐壓以及器件崩潰
盡可能考慮所有產生的因素 如:high level injection、PN結電阻Rp Rn的話
1)能帶圖該怎麼畫?
2)此時的的空乏區內建電壓會被抵銷嗎?空乏區會消失嗎?
3)延伸第二題 假設內建電壓0.7V不會被完全抵消 那麼施加的順向偏壓
所剩的2.3V會在哪被消耗掉?
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※ 編輯: nicky1245 (60.248.190.39), 06/14/2016 18:15:14
推 maxshao: 我記得老師有說過空乏區好像有一個最小值，並不會消失， 06/14 18:20
→ maxshao: 至於為什麼，老師也沒講很清楚，求高人解答！ 06/14 18:21
推 peter308: 你是中國人嗎? 06/14 18:32
我是台灣人阿推 peter308: 大注入 PN結電阻 好像都是對岸用法 06/14 18:37
我今天面試上海台積暑期實習 面試官是中國人推 ljsnonocat2: 元件物理 06/14 18:38
沒錯是元件物理的問題推 mlda888: 不難~半物就有教了 06/14 18:54
那可以請你來解答嗎 我身邊目前的書是半導體物理與元件第四版 neamen著找不到相關說明
推 HardyJJ: 電子學沒念哦 06/14 19:21
推 HardyJJ: 沒差拉，主管喜歡你，會說進來再學就好 06/14 19:23
推 peter308: 台灣的公司為什麼找大陸人面試台灣人啊? @@ 06/14 19:26
我怎麼知道@@噓 billy18: 自己的作業自己寫 06/14 19:26
推 h5904098: 為啥pn內建位障是0.7？ 那不是是導通電壓？ 06/14 19:45
※ 編輯: nicky1245 (60.248.190.39), 06/14/2016 19:56:15→ pepeengle: 你先去補大碩 06/14 19:57
→ j2222222229: 有點看不懂內鍵0.7V怎樣假設不消失 06/14 20:10
→ morrismos: 順偏電壓下，P型能帶下彎，N型能帶上彎，導電載子所需 06/14 20:13
→ morrismos: 跨越的電位障視兩段摻雜濃度而定 。空乏區不會消失且 06/14 20:13
→ morrismos: 會窄於熱平衡時的寬度，載子不斷地向彼此進行擴散，內 06/14 20:13
→ morrismos: 建電場的形成是為了抵制兩端載子的擴散 。 06/14 20:13
空乏區 假設內建電廠是0.7 那3特電壓會掛超過0.7V 在空乏區上面嗎還是只有可能掛 低於0.7的電壓
→ j2222222229: 應該是pn導通視同電阻，所以2.3給這個電阻 06/14 20:14
在不外加的電阻情況下 那2.3V的壓降在哪邊 有詳細的理論推導與物理意義嗎※ 編輯: nicky1245 (60.248.190.39), 06/14/2016 20:44:54
推 morrismos: 假設單邊陡接面(P+N)情況下，電壓可幾乎 06/14 20:55
→ morrismos: 於N型空乏區與與N型本體電阻上 06/14 20:56
→ morrismos: 壓降幾乎橫跨在N側空乏區與N型半導體的本體電阻上(相 06/14 20:59
→ morrismos: 對高阻值)，因為濃度與阻值成反比 06/14 20:59
推 Narcissuss: 0.7 不是用背的嗎 06/14 23:48
→ ljsnonocat2: wiki查到的圖 我猜應該是問這個 06/15 00:06
→ ljsnonocat2: 其實如果不是做device 元件物理根本幾乎用不到 06/15 00:13
推 jonathan0207: 剩下的2.3V應該是金屬+PN接面準電中性區域的等效電 06/15 05:26
→ jonathan0207: 阻 06/15 05:27
推 jonathan0207: 特別是PN半導體摻雜濃度越低，電阻值越高 06/15 05:42
推 Shepherd1987: 會燒掉吧... 不然就被clamp current限制住，電壓加 06/15 19:14
→ Shepherd1987: 不上去 06/15 19:14
推 Shepherd1987: 理想狀態的話 能障在0.7V+時被克服 N+P+部分就像一 06/15 19:22
→ Shepherd1987: 根電阻 ～2.3V等於極大I乘上極小R 06/15 19:22
→ blacker1019: 據我所知gg面試從來沒有問過半導體相關問題 06/16 01:25