若PN接面的空乏區兩側,P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同,濃度較高者,該側空乏區… 金屬氧化半導體場效電晶體MOSFET. PDF 檔案. 此空乏區域的寬度和摻雜 ...
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