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國立臺灣大學電機資訊學院電子工程學研究所碩士論文

PMOS )比絕緣體上矽N 型金氧半電晶體(PD SOI NMOS)有比較小的kink effect。 部分解離絕緣體上矽金氧半電晶體(PD SOI MOS)因為有浮動基體效應.

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