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載子遷移率

目前單軸應力的研究大都致力於氮化矽薄膜上，但在CMOS的製程裡卻可能提高NMOS的效能，卻降低PMOS的效能。所以A. Shimizu發現在拉伸應力薄膜上以離子佈植的方式打入鍺可降低 ...

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