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增強型MOSFET的工作原理（結構與特性曲線） - 每日頭條

這樣一推一拉，會使得p襯底材料在柵極附近聚集一些電子（含價帶電子與導帶電子）。當VGS大於某個閾值VT時，會形成一條可以導電的溝道。之後柵極的正電壓越 ...

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