我的方法如下
首先JFET與MOSFET分類成兩大類
1.JFET與空乏型MOSFET
2.增強型MOSFET

判別進入飽和區條件有兩個
1.有通道
2.已夾止

第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式
1.有通道(表示未截止)
公式為|Vgs|<|Vp| ===>適用n p ch
其中絕對值拆開是否加負號請以n-ch或p-ch所加之電壓決定
n-ch正常來說Vgs及Vp皆為負電壓
p-ch正常來說Vgs及Vp皆為正電壓
2.已夾止
a.Vgd < Vp ===>適用n-ch
b.Vgd > Vp ===>適用p-ch
其中Vgd=Vgs-Vds

第二類增強型MOSFET判別飽和區公式
1.有通道
公式為|Vgs| > |Vt| ====>適用n p ch
Vgs加的感應電壓夠大才有通道產生
其中絕對值拆開是否加負號請以n-ch或p-ch所加之電壓決定
n-ch正常來說Vgs及Vp皆為"正"電壓
p-ch正常來說Vgs及Vp皆為"負"電壓
2.已夾止
a.Vgd < Vt ===>適用n-ch
b.Vgd > Vt ===>適用p-ch
其中Vgd=Vgs-Vds


以上稍做整理記憶法如下
1.判別未截止 與 Vgs Vp Vt有關
第一類小於，第二類大於，且不分n p ch

2.判別已夾止 與 Vgd Vp Vt有關
無論哪一類，n-ch都小於，p-ch都大於
只要將Vp換成Vt即可
3.最後更要知道當時FET的Vgs、Vp、Vt為正或負

書本上判別公式方法很多，以上僅供參考嚕
如有誤請指正，謝謝

※ 引述《maks74 (藍藍香)》之銘言：
: JFET和MOSFET工作區判定，
: 我手邊的資料感覺有點奇怪，
: JFET:
: 三極區：Vgs-Vds>Vp
: 飽和區：Vgs-Vds>Vp
: 上網查到的資料：
: 三極區：Vgd>Vp
: 飽和區：Vgd<Vp
: 三極區：Vgs>Vp
: 飽和區：Vgs<Vp
: 三極區：Vgs-Vds>|Vp|
: 飽和區：Vgs-Vds<|Vp|
: MOSFET：
: 三極區：Vgs-Vds>Vt
: 飽和區：Vgs-Vds>Vt
: 上網查到的資料：
: 三極區：Vgs>Vt
: 飽和區：Vgs<Vt
: 被搞的有點混亂，能請問大家工作區怎麼判定嗎？

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