3 N通道空乏型MOSFET 於低摻雜量的P型基體內擴散成兩個高雜量之區域,分別當作源、 汲極。 (1) 結構上層覆蓋二氧化矽( )層。 (2) 符號 於低摻雜量的P型基體內擴散成 ...
確定! 回上一頁