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大规模集成电路中关键尺寸测量方法与应用的重要性研究

的稳定性以及各测量设备问的匹配程魔与CD—SEM比较，建立一个OCD测量程式更具挑战性 ... v是反射光线偏振方向与s方向的夹角，△是入射光s和P分量的相位差。

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