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電漿蝕刻SiC 材料與微型模具製作之研究 - 中華大學

本實驗是採用RF電漿蝕刻機台並使用CF4和O2反應氣體對SiC材 ... O2/CF4 and etching time on the etched surface morphologies were ... Chamber內的氣體分子量。

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