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解析：在常溫(室溫，300°K)下，矽晶體的價(電)帶與傳導帶間的能隙約為1.1eV，而鍺 ... 解析：(1)不論P型或N型半導體，欲增加其多數載子的濃度，主要靠摻雜；而欲增加 ...

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