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mosfet飽和區條件
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CMOS設計手冊—基礎篇
當MOS管處於堆積區時,柵極到地的電容Cgb的主體部分經過了襯底的大寄生 ... 工作在飽和區的短溝道MOSFET的漏電流隨著\(V_{GS}\)線形增加,而長溝道 ...
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