為什麼這篇mosfet飽和區線性區鄉民發文收入到精華區：因為在mosfet飽和區線性區這個討論話題中，有許多相關的文章在討論，這篇最有參考價值！作者u3308642 (我是天王唷)看板Electronics標題[問題] mos當作開關的操作區域...
小弟有個想不透
就是如果mos作為開關導通
s和d的電壓應該要很接近
（可能有Rdson的一點壓降）
那為什麼會操作在飽和區呢？
還是我有哪裡觀念錯誤了？
請各位大大糾正
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.77.197.77
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推 HiJimmy: GS偏壓不足?06/28 23:03
推 a1654812398: 你在哪裡看到的？06/29 01:17
推 mos888tw: 怎麼可能是飽和區 開關就是線性歐姆特性06/29 09:08
一開始是問我同學跟同事，他們說在飽和區
但上網找，有人說飽和也有人說線性
上本版爬文，也有人跟我有一樣的問題
但卻沒有討論出一個答案...
※ 編輯: u3308642 (42.77.197.77), 06/29/2018 09:55:09
推 a1654812398: 我個人認為是在歐姆區啦06/29 12:33
→ smartbit: 判斷要有數字，不要用猜的06/29 12:41
推 nissptt: 是用在，再加大Vgs, 而Rds小到不會再變小的區域吧！？06/29 20:32
推 nissptt: Rds不會再"陡降"的區域06/29 20:34
推 ShineOnYou: 要配合vgs的電壓曲線看 一樣的vds在不一樣的vgs下電06/29 22:16
→ ShineOnYou: 晶體操作區域不同 回想一下飽和區的物理意義就知道06/29 22:16
推 ShineOnYou: 不過我認為分線性區跟飽和區是給人看方便啦 重要還是06/29 22:18
→ ShineOnYou: 看你需要的阻值 高阻值或低阻值是你目前需要的06/29 22:18
因為我認為如果當開關導通
應該要讓跨壓（vds)很小
所以會盡量在vds-id圖的左邊
triode區裡面斜率大
Rds就小
※ 編輯: u3308642 (42.74.26.45), 06/29/2018 23:06:54
※ 編輯: u3308642 (42.74.26.45), 06/29/2018 23:08:03
推 ShineOnYou: 是 沒錯 但是你要控制vgs大會比讓vds小容易一些 06/29 23:08
推 HiJimmy: Vds不是負載經過迴路 要Vds小不就只能控制負載? 06/29 23:19
→ HiJimmy: 這樣用起來不是很麻煩 06/29 23:19
→ HiJimmy: Vgs-Rds 這個比較好控制吧? 06/29 23:19
→ HiJimmy: Vgs-Rds看這張關係圖 不是好控制多了 第三個變因剩溫度 06/29 23:21
推 zadarler: 我猜是在.lis裡面看到 有可能是initial condition 造成 06/30 14:04
→ zadarler: 的問題 06/30 14:04
推 guaroro: 操作在飽和區的應該是BJT唷 07/02 10:25
→ guaroro: 會不會最近太累，不小心說反了xD 07/02 10:27
推 escorpion: mos開關就是在截止區跟triode區切換，其他都唬爛 07/03 14:23
→ tooperfect: cascode switch , DAC會用到 07/04 12:08
推 guecet: 應該只是跟BJT搞混了 07/05 01:12
推 qekezfeed: BJT COM 07/05 20:01
→ qekezfeed: S 07/05 20:01
推 a86692472: 線性區 07/14 19:54
推 cebelas: 開關不一定操作在triode region, 以NMOS對Cap放電為例子 07/16 20:03
→ cebelas: ， 如果Cap初始電壓在VDD,那剛開始放電階段MOS其實是操作 07/16 20:03
→ cebelas: 在saturation region. 07/16 20:03
推 a86692472: Ce大考量仔細 讚 但原PO應該不是問暫態 哈哈 07/17 01:47