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mosfet飽和區條件
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107 學年度技術校院四年制與專科學校二年制統一入學測驗電機 ...
下列有關雙極性接面電晶體(BJT)操作於順向主動(active)區之條件描述,何者正 ... 體流過之電流為10mA且順向電壓為2V,電晶體工作於飽和區且VCE之飽和電壓視為零,.
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