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mosfet飽和區條件
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以高性能SiC MOSFET設計電力電子
SiC MOS結構表明,在特定電場條件下,由於障壁(barrier)高度較小,相較於 ... 快開關,因此在發生飽和效應之前,4-pin元件的電流也會上升到更高的值。
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